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SRAM型FPGA带刷的新分层三模冗余技术容错分析
作者: 张硕 [1] ; 伊小素 [1] ; 孙进辉 [2] ; 张倩 [1]
关键词: FPGA 单粒子翻转 分层三模冗余
摘要:SRAM型FPGA(field programmable gate array)因为其具有信息密度大、性能高、开发成本低、可重复编程等特性,受到航天电子方面设计者青睐,越来越多地被应用于需要高可靠性的复杂空间环境。然而,相比于传统的ASIC电路设计,由于FPGA对辐射的潜在敏感性,易引发单粒子翻转效应(single—event upsets,SEUs),甚至可能造成系统失效。该文提出一种全新的三模冗余技术(triple modular redundancy,TMR)来削弱空间粒子对FPGA的影响,这项技术可以减轻FPGA中采用映射设计的配置位受到SEUs的影响。通过逐位翻转故障注入实验验证显示,相对于传统的TMR设计,采用该新技术防护的FPGA中易收到SEUs影响的配置位减少了87%。
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