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SRAM型FPGA抗多位翻转布线算法

作者: 张硕 ; 伊小素 ; 朱明达 ; 张家铭

关键词: FPGA SEU TMR MCU

摘要:电路元器件尺寸的小型化使得现场可编门阵列(field programmable gate array,FPGA)的配置存储器更易出现单粒子效应而造成多位翻转错误。在空间电子系统中经常使用三模冗余(TMR)技术来对单粒子翻转进行防护,但是对于MCUs(单粒子撞击造成的多位翻转)TMR无法防护。该文提出一种提高TMR电路可靠性的布线算法,用于对抗MCUs。算法考虑到FPGA配置存储单元的设计信息,同时也考虑了用于记录逻辑资源位置和连接资源位置的逻辑簇信息。通过实验对MCU进行静态分析,将提出的算法用于标准电路的加固测试证明算法的可靠性和有效性。


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