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磁场退火温度对Ni_（80）Fe_（20）薄膜磁畴结构的影响研究
作者: 陈森 ; 张师平 ; 吴平 ; 徐建 ; 向勇
关键词: Ni80Fe20薄膜 磁畴 磁场退火
摘要：利用电子束真空蒸发方法制备了厚度100nm的Ni80Fe20薄膜,研究了磁场退火温度对薄膜磁畴结构的影响。利用振动样品磁强计测量了磁滞回线,利用磁力显微镜观察了薄膜的表面形貌和磁畴结构。结果表明：磁畴结构为明显的条状畴,磁畴宽度最大值约为860nm;随着磁场退火温度的升高,磁畴取向趋于沿垂直膜面方向,退火温度为600℃时,沿着主畴的畴壁形成了细小的横向细畴结构。