- · 清华大学与美国布鲁金斯学会联合举办高级别闭门圆桌会议 探讨中美合作路径 共同应对新冠疫情[02/06]
- · 美术学院设计团队完成2021央视春晚动漫生肖吉祥物形象及周边衍生品设计[02/05]
- · 马来西亚IOI产业集团董事长李耀昇捐赠清华大学[02/02]
- · 新时代高校助力乡村振兴交流研讨会成功举办[02/01]
- · 清华大学电子工程系陆明泉教授荣获美国导航学会瑟洛奖并当选会士[01/29]
- · 清华大学全球战略布局项目2021年度工作交流会召开[01/23]
- · 清华大学召开2021年两院院士新春座谈会[01/20]
- · 清华大学召开2020年度校领导班子民主生活会[01/19]
半导体器件功率老化的结温控制方法研究
作者: 冯永杰 [1,2] ; 李斌 [1] ; 黄云 [2]
关键词: 半导体器件 功率老化 结温控制
摘要:半导体器件功率老化所面临的主要问题是结温控制。为了确保半导体器件老化的可靠性,对现有的连续脉冲结温控制方法进行讨论和改进,并给出相应的结温测试电路。理论分析和实验表明,凋整脉冲功率、脉冲占空比、脉冲频率,确能使器件结温达到老化的要求,并分析了脉冲功率、脉冲占空比、脉冲频率对结温的影响。最后在此基础上,提出一种多个分立器件使用单电源串行功率老化的方法。
上一篇:压力传感器测量气体等温和绝热过程实验研究
下一篇:超声换能器方波畸变现象研究